白荆回廊-罗咤
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 0% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 极远 | ||
| 战术移动 | 10秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 54% | 106% | 86% |
| S1 | 59% | 116% | 94% |
| S2 | 62% | 121% | 98% |
| S3 | 73% | 142% | 115% |
| S4 | 82% | 158% | 128% |
| S5 | 85% | 164% | 133% |
| S6 | 87% | 169% | 137% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 5% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 10% |
| 阶段II | 基础攻击 | 10% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 10% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 熊熊燃烧造成炎元素范围伤害时，对命中的目标每秒造成自身100%（等级1时）/200%（等级2时）/300%（等级3时）刻印专精的伤害，持续10秒，每20秒最多触发一次原生特攻·α型目标为原生单位时，提升10%（等级1时）/15%（等级2时）/20%（等级3时）额外伤害，位于【干燥环境】时，提升幅度翻倍。和【原生特攻·β型】不叠加干燥环境：水元素地形蒸发速度加快，炎元素地形消失速度减缓敌人受到炎元素攻击时，有几率在脚下产生炎元素地形部分刻印技能在干燥环境下能发挥更强的效果 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| S1 | 54 | 62 | 78 | 82 | 66 |
| S2 | 62 | 86 | 134 | 146 | 98 |
| S3 | 62 | 86 | 134 | 146 | 98 |
| S4 | 66 | 98 | 162 | 178 | 114 |
| S5 | 70 | 110 | 190 | 210 | 130 |
| S6 | 70 | 110 | 190 | 210 | 130 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 夜猫子 |
| 效果 | 在初级研发室晚班，耗时-15%，早班耗时+10% |
| 狱火之墙主动技能 | LV12在指定位置制造持续20秒的狱火之墙，狱火之墙可以作为中等强度的屏障抵御敌方投射物，击退靠近的敌人并造成100%最终攻击的炎元素伤害施放后装填6枚[弹药] |
|---|
| 模式切换主动技能 | LV12被动：每隔15秒装填6枚[弹药]主动：切换普通攻击的攻击模式【模式切换·炮击模式】普通攻击形态“炮击模式”状态下普通攻击效果射程极远，普通攻击额外获得10%暴击率和20%暴击伤害，造成840%最终攻击的炎元素伤害并同时对目标半径250范围内敌人造成本次攻击50%的伤害【模式切换·喷火模式】普通攻击形态“喷火模式”状态下普通攻击效果攻击速度：0.20次每秒，对中距离扇形区域内敌人持续喷火，造成585%最终攻击的炎元素伤害并附加“炽焰”效果，每秒对目标造成50%最终攻击的炎元素伤害，可叠加3层，持续5秒 |
|---|
| 狂欢派对异核技能 | LV6朝指定位置半径300范围内随机发射炮弹，对半径80范围内的所有目标预计总共造成4500%最终攻击的炎元素伤害炮弹落地时将生成炎元素区域施放后装填8枚[弹药] |
|---|
| 枪械发烧友战斗特性 | 枪械发烧友战斗特性普通攻击射程1200攻击速度0.33次每秒群体 对空射程极远，向当前目标发射炮弹，造成336%最终攻击的炎元素伤害并同时对目标半径250范围内敌人造成本次攻击50%的伤害（实际伤害随【模式切换】技能等级提升）战斗特性可向武器中装填[弹药]，当存在[弹药]时，基础攻击速度提升75%，每次普通攻击会消耗一枚[弹药]，最多填装20枚[弹药]异核I级解锁：普通攻击有20%的几率不消耗[弹药]异核III级解锁：存在[弹药]时基础攻击速度提升效果提高到100% |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1200 海隅点数 3 贫质合金 |
| S2 | 3000 海隅点数 8 单级磁导插件 5 苍青薄片 |
| S3 | 7200 海隅点数 5 二元磁导插件 3 靛石 5 自旋因子 |
| S4 | 12000 海隅点数 8 复合磁导插件 5 靛石 3 复色基粒 |
| S5 | 18000 海隅点数 9 稳态合金 4 黛晶 5 复色基粒 3 储源合金 |
| S6 | 24000 海隅点数 3 极叠磁导插件 9 黛晶 4 光子质 5 储源合金 |
| 总计 | 65400 海隅点数 8 单级磁导插件 5 自旋因子 5 苍青薄片 3 贫质合金 5 二元磁导插件 8 复色基粒 8 靛石 8 储源合金 8 复合磁导插件 4 光子质 13 黛晶 9 稳态合金 3 极叠磁导插件 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·远程 2 火山雪 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·远程 4 自旋因子 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·远程 3 二元磁导插件 3 贫质合金 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·远程 4 训练芯片·远程 4 次生装置 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·远程 6 训练芯片·远程 6 星砂 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·远程 8 训练芯片·远程 2 光子质 4 储源合金 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·远程 10 训练芯片·远程 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·远程 5 训练芯片组·远程 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·远程 6 训练芯片组·远程 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·远程 28 训练芯片·远程 11 训练芯片组·远程 2 火山雪 4 自旋因子 3 贫质合金 3 二元磁导插件 4 次生装置 6 星砂 4 储源合金 2 光子质 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·远程 3 贫质合金 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·远程 4 原旋动力机 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·远程 3 靛石 3 自旋因子 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·远程 4 训练芯片·远程 4 二元磁导插件 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·远程 6 训练芯片·远程 6 储源合金 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·远程 8 训练芯片·远程 2 多矩推进器 4 复色基粒 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·远程 10 训练芯片·远程 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·远程 5 训练芯片组·远程 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·远程 6 训练芯片组·远程 |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·远程 28 训练芯片·远程 11 训练芯片组·远程 4 原旋动力机 3 自旋因子 3 贫质合金 4 二元磁导插件 4 复色基粒 3 靛石 6 储源合金 2 多矩推进器 |
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