白荆回廊-岚岚
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 15% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 远 | ||
| 战术移动 | 10秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 53% | 86% | 94% |
| S1 | 58% | 94% | 103% |
| S2 | 61% | 96% | 108% |
| S3 | 71% | 115% | 127% |
| S4 | 80% | 128% | 141% |
| S5 | 83% | 133% | 147% |
| S6 | 85% | 136% | 151% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 5% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
| 阶段II | 基础攻击 | 10% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 15% |
| 阶段II | 基础攻击速度 | 0.1次每秒 | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 风力加剧场上风元素的同调者人数达到2名或以上时，每6秒提升所有同调者1层【激励】，最多提升4（等级1时）/7（等级2时）/10（等级3时）层；当场上风元素的同调者人数少于2名时，移除所有同调者通过该方式获得的【激励】层数激励：每层激励效果提升10%伤害，最多同时生效20层※标注为“激励技能”的刻印技能在满足特定条件后，能够为小队中的所有同调者提供激励效果对空特攻·α型目标为空中单位时，提升10%（等级1时）/15%（等级2时）/20%（等级3时）额外伤害，位于【干燥环境】时，提升幅度翻倍。和【对空特攻·β型】不叠加干燥环境：水元素地形蒸发速度加快，炎元素地形消失速度减缓敌人受到炎元素攻击时，有几率在脚下产生炎元素地形部分刻印技能在干燥环境下能发挥更强的效果 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
| S1 | 58 | 48 | 51 | 65 | 58 |
| S2 | 94 | 64 | 72 | 116 | 94 |
| S3 | 94 | 64 | 72 | 116 | 94 |
| S4 | 112 | 72 | 83 | 141 | 112 |
| S5 | 130 | 80 | 94 | 166 | 130 |
| S6 | 130 | 80 | 94 | 166 | 130 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 提速线++ |
| 效果 | 在高级研发室，耗时-10% |
| 风舞风舞风舞主动技能 | LV12被动：特性击退目标的几率提升15%朝目标方向600距离内发射扇形疾风攻击，造成1250%最终攻击的风元素伤害并以2级[位移强度]击退区域内敌人以及拦截投射物，同时吹散范围内的毒雾 |
|---|
| 疾疾疾自动技能 | LV12自身基础攻击速度提升120%，普通攻击击退目标的几率提升至原来的2倍，持续20秒 |
|---|
| 迅鸟不鸣异核技能 | LV6以自身为中心放出狂风，以2级[位移强度]击退场上所有敌人造成3000%最终攻击的风元素伤害、拦截场上所有敌对投射物并吹散自身半径600范围内的毒雾，同时使全体友方同调者提高20%[同调者暴击率]，持续25秒战术家特性：开战时异核充能增加50% |
|---|
| 学舌战斗特性 | 学舌战斗特性普通攻击射程800攻击速度0.50次每秒单体 对空向当前目标发射羽箭造成200%最终攻击的风元素伤害普通攻击命中时有10%几率以1级[位移强度]击退目标，若无法击退目标，则本次伤害提升50%战斗特性无异核I级解锁：被岚岚击退的目标会被[定身]5秒异核III级解锁：造成伤害使目标风元素抗性降低20%，持续5秒 |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1000 海隅点数 2 贫质合金 |
| S2 | 2500 海隅点数 6 自旋因子 4 原旋动力机 |
| S3 | 6000 海隅点数 4 复色基粒 2 次生装置 4 单级磁导插件 |
| S4 | 10000 海隅点数 6 光子质 4 次生装置 2 二元磁导插件 |
| S5 | 15000 海隅点数 8 光子质 3 多矩推进器 4 二元磁导插件 2 靛石 |
| S6 | 20000 海隅点数 2 相位链 8 多矩推进器 3 复合磁导插件 4 靛石 |
| 总计 | 54500 海隅点数 4 单级磁导插件 4 原旋动力机 6 自旋因子 2 贫质合金 6 二元磁导插件 6 次生装置 4 复色基粒 6 靛石 3 复合磁导插件 11 多矩推进器 14 光子质 2 相位链 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 火山雪 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 自旋因子 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 二元磁导插件 3 贫质合金 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 次生装置 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 星砂 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 光子质 4 储源合金 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 3 火山雪 4 自旋因子 3 贫质合金 3 二元磁导插件 4 次生装置 6 星砂 4 储源合金 2 光子质 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 贫质合金 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 原旋动力机 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 靛石 3 自旋因子 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 二元磁导插件 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 储源合金 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·远程 2 多矩推进器 4 复色基粒 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 20 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 8 训练芯片·远程 4 原旋动力机 3 自旋因子 3 贫质合金 4 二元磁导插件 4 复色基粒 3 靛石 6 储源合金 2 多矩推进器 |
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