白荆回廊-元桃桃
基础属性 | |||
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基础减伤 | 5% | 暴击率 | 5% |
射程 | 远 | ||
战术移动 | 10秒冷却 | ||
专精影响分支 | 增伤 治愈 | ||
位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
S0 | 61% | 72% | 102% |
S1 | 67% | 79% | 111% |
S2 | 70% | 82% | 116% |
S3 | 85% | 97% | 139% |
S4 | 95% | 108% | 154% |
S5 | % | % | % |
S6 | 100% | 114% | 161% |
体能特训加成 | |||
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项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
阶段II | 基础体质 | 5% | |
项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
阶段II | 基础攻击 | 5% | |
项目III | 阶段I | 基础专精 | 15% |
阶段II | 基础专精 | 5% |
漫巡初始技能 | ||
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及时援助·菱形·β型治疗效果增加20%(等级1时)/35%(等级2时)/50%(等级3时),位于【潮湿环境】时,提升幅度翻倍。和【及时援助·菱形·α型】不叠加潮湿环境:水元素地形蒸发速度减缓,炎元素地形消失速度加快部分角色技能在该环境下可以直接生成霜元素地形部分刻印技能在潮湿环境下能发挥更强的效果因祸得福同调者每次受到攻击时,异核充能回复10(等级1时)/15(等级2时)/20(等级3时)秒,每15秒最多触发一次 | ||
漫巡技能上限解锁位阶 | ||
位阶 | 技能1 | 技能2 |
S0 | 1级 | - |
S1 | 1级 | 1级 ↑ |
S2 | 1级 | 2级 ↑ |
S3 | 2级 ↑ | 2级 |
S4 | 3级 ↑ | 2级 |
S5 | 3级 | 3级 ↑ |
蚀刻初始属性 | |||||
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位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
S0 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
S1 | 51 | 48 | 51 | 69 | 62 |
S2 | 72 | 64 | 72 | 126 | 105 |
S3 | 72 | 64 | 72 | 126 | 105 |
S4 | |||||
S5 | 94 | 80 | 94 | 184 | 148 |
S6 | 94 | 80 | 94 | 184 | 148 |
穹顶技能 | |
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名称 | 定班提速线++ |
效果 | 在高级研发室午班,耗时-10% |
奶茶双响炮主动技能 | LV12开启「治疗模式」,普通攻击改为向生命最低的友方同调者连续发射治疗弹,每2.4秒总计治疗目标263%治愈力的生命值,持续20秒效果期间自动技能【青提波波】将暂停冷却回复 |
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青提波波自动技能 | LV12对一名敌方目标总计造成3000%最终攻击的水元素伤害,并使其攻击速度降低50%,持续3秒 |
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桃桃乌龙茶异核技能 | LV6对指定区域内所有敌方目标总计造成2400%最终攻击的水元素伤害,同时治疗所有友方同调者660%治愈力的生命值,并在范围内生成水元素区域 |
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奶茶双拼战斗特性 | 奶茶双拼战斗特性普通攻击射程800攻击速度0.75次每秒单体 对空向当前目标发射波波弹造成133%最终攻击的水元素伤害战斗特性可以切换攻击模式与治疗模式异核I级解锁:主动技能【奶茶双响炮】使用次数+1异核III级解锁:治愈力提升25% |
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升阶 | |
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等级提升至 | 消耗材料 |
S1 | 1000 海隅点数 2 贫质合金 |
S2 | 2500 海隅点数 6 单级磁导插件 4 苍青薄片 |
S3 | 6000 海隅点数 4 二元磁导插件 2 靛石 4 自旋因子 |
S4 | 10000 海隅点数 6 复合磁导插件 4 靛石 2 复色基粒 |
S5 | 15000 海隅点数 8 复合磁导插件 3 黛晶 4 复色基粒 2 储源合金 |
S6 | |
总计 | 34500 海隅点数 6 单级磁导插件 4 自旋因子 4 苍青薄片 2 贫质合金 4 二元磁导插件 6 复色基粒 6 靛石 2 储源合金 14 复合磁导插件 3 黛晶 |
技能1升级 | |
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等级提升至 | 消耗材料 |
LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 火山雪 |
LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 自旋因子 |
LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 二元磁导插件 3 贫质合金 |
LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 次生装置 |
LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 星砂 |
LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 光子质 4 储源合金 |
LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
LV11 | |
LV12 | |
总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 3 火山雪 4 自旋因子 3 贫质合金 3 二元磁导插件 4 次生装置 6 星砂 4 储源合金 2 光子质 |
技能2升级 | |
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等级提升至 | 消耗材料 |
LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 贫质合金 |
LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 原旋动力机 |
LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 靛石 3 自旋因子 |
LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 二元磁导插件 |
LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 储源合金 |
LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 多矩推进器 4 复色基粒 |
LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
LV11 | |
LV12 | |
总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 4 原旋动力机 3 自旋因子 3 贫质合金 4 二元磁导插件 4 复色基粒 3 靛石 6 储源合金 2 多矩推进器 |
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