白荆回廊-云无月
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 30% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 中 | ||
| 战术移动 | 10秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 格挡 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 117% | 85% | 71% |
| S1 | 128% | 93% | 78% |
| S2 | 134% | 114% | 95% |
| S3 | 157% | 114% | 95% |
| S4 | 175% | 127% | 106% |
| S5 | 182% | 132% | 110% |
| S6 | 187% | 136% | 113% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 10% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 10% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 蚀之激励触发【蚀爆伤害】后，所有友方同调者获得2层【激励】。通过该方式获得的激励层数不超过4（等级1时）/7（等级2时）/10（等级3时）层蚀爆伤害：蚀元素同调者的技能可以使终端获得蚀爆值，大于等于100点，将触发一次基于敌人当前生命值百分比的全场蚀爆伤害，并清零终端蚀爆值，该效果每15秒最多触发一次蚀爆伤害触发时，蚀爆值超过100点的部分每点额外提升0.2%蚀爆伤害，最多提升100%激励：每层激励效果提升10%伤害，最多同时生效20层※标注为“激励技能”的刻印技能在满足特定条件后，能够为小队中的所有同调者提供激励效果大敌当前同调者受到来自精英/首领的伤害减少9%~15%（等级1时）/14%~23%（等级2时）/18%~30%（等级3时）（【防御依赖】）防御依赖：效果随防御提升，1000点时达到最大值 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
| S1 | 86 | 80 | 86 | 78 | 78 |
| S2 | 139 | 120 | 139 | 113 | 113 |
| S3 | 139 | 120 | 139 | 113 | 113 |
| S4 | 166 | 140 | 166 | 130 | 130 |
| S5 | 192 | 160 | 192 | 148 | 148 |
| S6 | 192 | 160 | 192 | 148 | 148 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 定班提速线++ |
| 效果 | 在初级研发室晚班，耗时-15% |
| 前奏曲主动技能 | LV12【前奏曲】技能形态攻击姿态可用，切换至防御姿态：较易成为敌人的攻击目标，增加自身12%~20%（[防御依赖]）基础减伤，[复调]对敌方单位造成400%体质的蚀元素伤害+250%专精的蚀元素伤害；其他友方同调者受到伤害时，若自身当前格挡值不为0，会代替承受30%的所有伤害；并为终端附加2点蚀爆值，蚀爆值获取每秒最多触发一次【变奏曲】技能形态防御姿态可用，切换至攻击姿态：[复调]对敌方单位造成600%最终攻击的蚀元素伤害+350%专精的蚀元素伤害，敌方单位为精英目标时该伤害额外提高30%；非重伤状态下自身及[复调]的友方同调者普通攻击伤害提升20% |
|---|
| 蚀音连奏自动技能 | LV12持续对周围300范围内的敌方造成共2100%专精的蚀元素伤害，每次伤害附带破坏1段格挡条，最后弹奏会根据当前演奏的曲目产生额外效果当前演奏【变奏曲】「攻击姿态」：为终端附加15点蚀爆值，最后弹奏将对正前方敌人造成1250%最终攻击的蚀元素伤害，并同时附带破坏5段格挡条效果当前演奏【前奏曲】「防御姿态」：场上每有一名友方单元为终端附加4点蚀爆值，最多附加50点蚀爆值；最后弹奏将对500范围内敌方造成750%体质的蚀元素伤害 |
|---|
| 长夜咏叹异核技能 | LV6开始持续演奏，演奏期间对随机8名生命值较高的敌方单位共造成3000%专精的蚀元素伤害，并进入【捕梦】状态，提升当前演奏曲目所产生的效果当前演奏【前奏曲】「防御姿态」：获得当前最大生命值的护盾，代替友方承受65%所受到的所有伤害；期间为终端附加双倍蚀爆值，蚀爆值获取每秒最多触发一次当前演奏【变奏曲】「攻击姿态」：[复调]造成的伤害额外提高18%【捕梦】状态效果：期间自身免疫大多数控制效果，同时友方造成的所有伤害会被记录在梦境中，并在演奏结束时全场敌方单位将分摊50%梦境所记录的伤害，该伤害为[真实伤害] |
|---|
| 月翳将生战斗特性 | 月翳将生战斗特性普通攻击射程500攻击速度0.30次每秒单体 对空弹奏旋律向当前目标发射琴音造成300%最终攻击的蚀元素伤害战斗特性可以通过演奏不同曲目来切换自身姿态（初始演奏【变奏曲】「攻击姿态」），并为场上友方同调者添加[复调]效果，友方同调者造成普通攻击伤害时会触发[复调]，根据当前演奏的曲目造成伤害，[复调]每2秒最多触发一次蚀元素同调者触发[复调]时会额外为终端附加1点蚀爆值自身攻击速度固定无法改变，且每次普通攻击为终端附加4点蚀爆值，自身每额外获得的10%攻击速度提升都会降低0.2秒[复调]的触发间隔[复调]造成的伤害视为自身普通攻击伤害异核I级解锁：云无月在场时，场上[复调]效果造成的伤害提升20%，当云无月重伤或进入后备队时，当前场上的[复调]效果不会消失，但[复调]造成的伤害减少50%异核III级解锁：受到[复调]伤害的敌方目标，蚀元素抗性降低20% |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1600 海隅点数 4 贫质合金 |
| S2 | 4000 海隅点数 9 单级磁导插件 6 苍青薄片 |
| S3 | 9600 海隅点数 6 二元磁导插件 4 靛石 6 自旋因子 |
| S4 | 16000 海隅点数 9 复合磁导插件 6 靛石 4 复色基粒 |
| S5 | 24000 海隅点数 10 复合磁导插件 5 黛晶 6 复色基粒 4 储源合金 |
| S6 | 32000 海隅点数 4 极叠磁导插件 10 黛晶 5 光子质 6 储源合金 |
| 总计 | 87200 海隅点数 9 单级磁导插件 6 自旋因子 6 苍青薄片 4 贫质合金 6 二元磁导插件 10 复色基粒 10 靛石 10 储源合金 19 复合磁导插件 5 光子质 15 黛晶 4 极叠磁导插件 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·近战 3 单级磁导插件 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·近战 4 火山雪 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·近战 3 复色基粒 3 苍青薄片 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·近战 4 训练芯片·近战 4 储源合金 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·近战 6 训练芯片·近战 6 二元磁导插件 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·近战 8 训练芯片·近战 2 卷礁 4 靛石 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·近战 10 训练芯片·近战 4 光子质 6 储源合金 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·近战 5 训练芯片组·近战 6 多矩推进器 8 二元磁导插件 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·近战 6 训练芯片组·近战 2 乌珀 4 稳态合金 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·近战 28 训练芯片·近战 11 训练芯片组·近战 3 单级磁导插件 4 火山雪 3 苍青薄片 14 二元磁导插件 3 复色基粒 4 靛石 10 储源合金 6 多矩推进器 2 卷礁 4 光子质 4 稳态合金 2 乌珀 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·近战 3 苍青薄片 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·远程 4 贫质合金 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·近战 3 次生装置 3 火山雪 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·近战 4 训练芯片·近战 4 复色基粒 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·近战 6 训练芯片·近战 6 靛石 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·近战 8 训练芯片·近战 2 稳态合金 4 靛石 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·近战 10 训练芯片·近战 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·近战 5 训练芯片组·近战 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·近战 6 训练芯片组·近战 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 1800 基础硅片·近战 28 训练芯片·近战 11 训练芯片组·近战 200 基础硅片·远程 3 火山雪 3 苍青薄片 4 贫质合金 3 次生装置 4 复色基粒 10 靛石 2 稳态合金 |
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