白荆回廊-襄铃
| 基础属性 | |||
|---|---|---|---|
| 基础减伤 | 15% | 暴击率 | 5% |
| 射程 | 近 | ||
| 战术移动 | 6秒冷却 | ||
| 专精影响分支 | 增伤 | ||
| 位阶 | 体质加成 | 攻击加成 | 专精加成 |
| S0 | 64% | 87% | 97% |
| S1 | 69% | 96% | 107% |
| S2 | 72% | 100% | 112% |
| S3 | 84% | 118% | 132% |
| S4 | 93% | 132% | 147% |
| S5 | 96% | 137% | 153% |
| S6 | 98% | 141% | 157% |
| 体能特训加成 | |||
|---|---|---|---|
| 项目 | 提升属性 | 提升数值 | |
| 项目I | 阶段I | 基础体质 | 5% |
| 阶段II | 基础体质 | 5% | |
| 项目II | 阶段I | 基础攻击 | 5% |
| 阶段II | 基础攻击 | 10% | |
| 项目III | 阶段I | 基础专精 | 15% |
| 阶段II | 基础攻击 | 5% | |
| 漫巡初始技能 | ||
|---|---|---|
| 针对削弱成功将敌人拉拽至身边时，降低目标30%攻击力，并获得1层【激励】，该效果单次技能最多触发3次；通过该方式获得的激励层数不超过4（等级1时）/ 7（等级2时）/10（等级3时）层激励：每层激励效果提升10%伤害，最多同时生效20层※标注为“激励技能”的刻印技能在满足特定条件后，能够为小队中的所有同调者提供激励效果伤害赐福·菱形·α型提升10%（等级1时）/18%（等级2时）/25%（等级3时）额外伤害，位于【干燥环境】时，提升幅度翻倍。和【伤害赐福·菱形·β型】不叠加干燥环境：水元素地形蒸发速度加快，炎元素地形消失速度减缓敌人受到炎元素攻击时，有几率在脚下产生炎元素地形部分刻印技能在干燥环境下能发挥更强的效果 | ||
| 漫巡技能上限解锁位阶 | ||
| 位阶 | 技能1 | 技能2 |
| S0 | 1级 | - |
| S1 | 1级 | 1级 ↑ |
| S2 | 1级 | 2级 ↑ |
| S3 | 2级 ↑ | 2级 |
| S4 | 3级 ↑ | 2级 |
| S5 | 3级 | 3级 ↑ |
| 蚀刻初始属性 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 位阶 | 作为队长时蚀刻初始属性 | ||||
| 体质 | 防御 | 攻击 | 专精 | 终端 | |
| S0 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| S1 | 70 | 62 | 70 | 74 | 66 |
| S2 | 110 | 86 | 110 | 122 | 98 |
| S3 | 110 | 86 | 110 | 122 | 98 |
| S4 | 130 | 98 | 130 | 146 | 114 |
| S5 | 150 | 110 | 150 | 170 | 130 |
| S6 | 150 | 110 | 150 | 170 | 130 |
| 穹顶技能 | |
|---|---|
| 名称 | 定班提速线++ |
| 效果 | 在高级研发室早班，耗时-10% |
| 拳焰式主动技能 | LV12【拳焰式·普通】技能形态普通状态下可使用以2级[位移强度]抓取1200范围内的目标至自身面前攻击，造成2000%最终攻击的物理伤害【拳焰式·狐拟态】技能形态「狐拟态」状态下可使用以3级[位移强度]抓取1600范围内的目标至自身面前攻击，造成3750%最终攻击的炎元素伤害 |
|---|
| 屏扇式主动技能 | LV12被动：每隔20秒可使用一次，使用后产生的指令冷却时间极短【屏扇式·普通】技能形态普通状态下可使用对扇形范围内5条路径上的首个敌人造成1850%最终攻击的物理伤害并以2级[位移强度]造成击退效果，对击退路径上的其他敌人造成1150%最终攻击的物理伤害【屏扇式·狐拟态】技能形态「狐拟态」状态下可使用对扇形范围内5条路径上的首个敌人造成2313%最终攻击的炎元素伤害并以2级[位移强度]造成击退效果，对击退路径上的其他敌人造成1438%最终攻击的炎元素伤害且沿途留下炎元素区域 |
|---|
| 狐拟态异核技能 | LV6变身成「狐拟态」，所有伤害转为炎元素伤害，攻击提升120%，回复1次主动技能【拳焰式】使用次数，并使所有技能获得强化，持续45秒战术家特性：开战时异核充能增加50% |
|---|
| 狐引战斗特性 | 狐引战斗特性普通攻击射程200攻击速度0.62次每秒单体攻击面前的目标造成192%最终攻击的物理伤害.近战范围没有敌人时，对远处一名敌人造成96%最终攻击的物理伤害，并以1级[位移强度]抓取到面前（每3秒最多触发一次）。战斗特性可以战术移动至全场任意可达位置会自动将抓取的目标击飞入周围的可跌落点异核I级解锁：施放异核技能【狐拟态】时，立即清空指令冷却时间并激活主动技能【屏扇式】异核III级解锁：异核技能【狐拟态】时施展主动技能【屏扇式】留下的炎元素区域扩大 |
|---|
| 升阶 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| S1 | 1200 海隅点数 3 贫质合金 |
| S2 | 3000 海隅点数 8 原旋动力机 5 贫质合金 |
| S3 | 7200 海隅点数 5 次生装置 3 储源合金 5 苍青薄片 |
| S4 | 12000 海隅点数 8 多矩推进器 5 储源合金 3 靛石 |
| S5 | 18000 海隅点数 9 多矩推进器 4 稳态合金 5 靛石 3 星砂 |
| S6 | |
| 总计 | 41400 海隅点数 8 原旋动力机 5 苍青薄片 8 贫质合金 5 次生装置 3 星砂 8 靛石 8 储源合金 17 多矩推进器 4 稳态合金 |
| 技能1升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 单级磁导插件 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 火山雪 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 复色基粒 3 苍青薄片 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 储源合金 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 二元磁导插件 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 卷礁 4 靛石 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 3 单级磁导插件 4 火山雪 3 苍青薄片 6 二元磁导插件 3 复色基粒 4 靛石 4 储源合金 2 卷礁 |
| 技能2升级 | |
|---|---|
| 等级提升至 | 消耗材料 |
| LV2 | 600 海隅点数 100 基础硅片·战略 3 苍青薄片 |
| LV3 | 900 海隅点数 200 基础硅片·战略 4 贫质合金 |
| LV4 | 1200 海隅点数 300 基础硅片·战略 3 次生装置 3 火山雪 |
| LV5 | 2400 海隅点数 100 基础硅片·战略 4 训练芯片·战略 4 复色基粒 |
| LV6 | 3600 海隅点数 150 基础硅片·战略 6 训练芯片·战略 6 靛石 |
| LV7 | 6000 海隅点数 200 基础硅片·战略 8 训练芯片·战略 2 稳态合金 4 星砂 |
| LV8 | 9000 海隅点数 250 基础硅片·战略 10 训练芯片·战略 |
| LV9 | 12000 海隅点数 300 基础硅片·战略 5 训练芯片组·战略 |
| LV10 | 16000 海隅点数 400 基础硅片·战略 6 训练芯片组·战略 |
| LV11 | |
| LV12 | |
| 总计 | 51700 海隅点数 2000 基础硅片·战略 28 训练芯片·战略 11 训练芯片组·战略 3 火山雪 3 苍青薄片 4 贫质合金 3 次生装置 4 星砂 4 复色基粒 6 靛石 2 稳态合金 |
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